کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748995 | 894801 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of the gate stack on the electrical performances of 3D multi-channel MOSFET (MCFET) on SOI
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, we integrate and compare the electrical performances of metal/high-K embedded gates in 3D multi-channel CMOSFETs (MCFETs) on SOI. The electrical characteristics of embedded gates obtained by filling cavities with TiN/HfO2, TiN/SiO2 or N+ poly-Si/SiO2 are compared to a planar reference. In particular, we investigate electron and hole mobility behaviours (300 K down to 20 K) in embedded and planar structures, the gate leakage current and the negative bias temperature instability (NBTI). Despite a lower mobility, TiN/HfO2 gate stack demonstrates the best ION/IOFF compromise and exhibits NBTI life time higher than 10 years up to 1.3 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 9, September 2008, Pages 1297–1302
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 9, September 2008, Pages 1297–1302
نویسندگان
Emilie Bernard, T. Ernst, B. Guillaumot, N. Vulliet, X. Garros, V. Maffini-Alvaro, P. Coronel, T. Skotnicki, S. Deleonibus,