کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749163 | 894812 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance and reliability of HfAlOx-based interpoly dielectrics for floating-gate Flash memory
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper discusses the performance and reliability of aggressively scaled HfAlOx-based interpoly dielectric stacks in combination with high-workfunction metal gates for sub-45 nm non-volatile memory technologies. It is shown that a less than 5 nm EOT IPD stack can provide a large program/erase (P/E) window, while operating at moderate voltages and has very good retention, with an extrapolated 10-year retention window of about 3 V at 150 °C. The impact of the process sequence and metal gate material is discussed. The viability of the material is considered in view of the demands of various Flash memory technologies and direction for further improvements are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 4, April 2008, Pages 557–563
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 4, April 2008, Pages 557–563
نویسندگان
B. Govoreanu, D. Wellekens, L. Haspeslagh, D.P. Brunco, J. De Vos, D. Ruiz Aguado, P. Blomme, K. van der Zanden, J. Van Houdt,