کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749658 | 894840 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical threshold voltage model with TCAD simulation verification for design and evaluation of tri-gate MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The dynamics of the threshold voltage calculation is evaluated for the tri-gate architecture of device. The 3-D poisson’s equation with eight boundary conditions is solved analytically and an analytical threshold model for tri-gate Si MOSFET device is developed. TCAD simulation result of the same device structure is also presented and it agrees well with our threshold analytical model. Furthermore, this analytical threshold model is capable of doing rudimentary first order comparisons of the threshold voltage with respect to device dimensions and semiconductor material type.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 3, March 2007, Pages 347–353
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 3, March 2007, Pages 347–353
نویسندگان
Yawei Jin, Chang Zeng, Lei Ma, Doug Barlage,