کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749669 | 894840 | 2007 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical predictive modeling for the study of the scalability limits of multiple gate MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have developed analytical, models for the threshold voltage, the subthreshold swing and DIBL of undoped cylindrical Gate All Around (GAA) MOSFETs and Double Gate (DG) MOSFET using an analytical solution of the two-dimensional (2D) Poisson equation in which the mobile charge term has been considered. Using this new model, we have studied the scalability limits of GAA and DG MOSFETs and compared their performances. We have found that, to obtain a given performance, GAA MOSFETs can have a 33% shorter channel length than DG MOSFETs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 3, March 2007, Pages 414-422
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 3, March 2007, Pages 414-422
نویسندگان
Hamdy Abd El-Hamid, Jaume Roig, Benjamin IñÃguez,