کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753232 | 895505 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Small-signal analysis of high-performance p- and n-type SOI SB-MOSFETs with dopant segregation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Small-signal analysis of high-performance p- and n-type SOI SB-MOSFETs with dopant segregation Small-signal analysis of high-performance p- and n-type SOI SB-MOSFETs with dopant segregation](/preview/png/753232.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, we present fully-depleted Schottky barrier MOSFETs with dopant-segregated NiSi source and drain junctions. Schottky barrier MOSFETs with a channel length of 80 nm show high on-currents of 900 μA/μm for n-type devices with As segregation at Vgs − Vt = 3 V and Vds = 1.2 V and 427 μA/μm for p-type devices with B segregation at Vgs − Vt = −2.8 V and Vds = −1.2 V. A detailed high-frequency characterization proves the high-performance of the devices with cut-off frequencies fT of 117 GHz for n-type and 63 GHz for p-type Schottky barrier MOSFETs and clearly elucidates the effects of extrinsic and intrinsic device parameters as a function of the gate length.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 9, September 2010, Pages 877–882
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 9, September 2010, Pages 877–882
نویسندگان
C. Urban, M. Emam, C. Sandow, Q.T. Zhao, A. Fox, S. Mantl, J.-P. Raskin,