کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753476 | 895533 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of MOS capacitors and SOI–MOSFETs with epitaxial gadolinium oxide (Gd2O3) and titanium nitride (TiN) electrodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of MOS capacitors and SOI–MOSFETs with epitaxial gadolinium oxide (Gd2O3) and titanium nitride (TiN) electrodes Investigation of MOS capacitors and SOI–MOSFETs with epitaxial gadolinium oxide (Gd2O3) and titanium nitride (TiN) electrodes](/preview/png/753476.png)
چکیده انگلیسی
Electrical properties of metal oxide semiconductor (MOS) capacitors with gate stacks of epitaxial gadolinium oxide (Gd2O3) and titanium nitride (TiN) are studied. The influence of CMOS compatible rapid thermal annealing on these gate stacks is examined. Finally, n- and p-type MOS-field effect transistors (MOSFETs) on silicon on insulator (SOI) material with epitaxial Gd2O3 and TiN gate electrodes are presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 4, April 2007, Pages 617–621
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 4, April 2007, Pages 617–621
نویسندگان
T. Echtermeyer, H.D.B. Gottlob, T. Wahlbrink, T. Mollenhauer, M. Schmidt, J.K. Efavi, M.C. Lemme, H. Kurz,