کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753518 | 895544 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structure design criteria of dual-channel high mobility electron transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The design criteria of dual-channel high electron mobility transistor (DHEMT) are proposed in this study. δ-Doped In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InP material systems are concentrated in this article. The DHEMT structures are explored numerically and compared with conventional single-channel high electron mobility transistor (SHEMT) structures. Some criteria of doping concentration and layer structure design are proposed. The simulation results reveal that DHEMT has a larger voltage swing, a lower gate leakage current, a better carrier confinement, a higher density of two-dimensional electron gas (2DEG) and an excellent transconductance than SHEMT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 1, January 2007, Pages 64–68
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 1, January 2007, Pages 64–68
نویسندگان
Jia-Chuan Lin, Yu-Chieh Chen, Wei-Chih Tsai, Po-Yu Yang,