کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753645 | 895556 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties of oxidized polycrystalline silicon as a gate insulator for n-type 4H-SiC MOS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
MOS capacitors were produced on n-type 4H-SiC using oxidized polycrystalline silicon (polyoxide). The polyoxide samples grown by dry oxidation without an anneal had a high interface state density (Dit) of 1.8 × 1012 cm−2 eV−1 and the polyoxide samples grown by wet oxidation had a lower Dit of 1.2 × 1012 cm−2 eV−1 (both at 0.5 eV below the conduction band). After 1 h Ar annealing, the Dit of wet polyoxide was reduced significantly to 2.6 × 1011 cm−2 eV−1 (at 0.5 eV below the conduction band). Dry polyoxide exhibits higher breakdown electric fields than wet polyoxide. The interface quality and breakdown characteristics of polyoxide are comparable to published results of low-temperature CVD deposited oxides.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 12, December 2005, Pages 2002–2005
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 12, December 2005, Pages 2002–2005
نویسندگان
P. Li, A. Rodriguez, B. Yarlagadda, R. Velampati, J.E. Ayers, F.C. Jain,