کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753746 | 1462271 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ballistic transport at GHz frequencies in ungated HEMT structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
By measuring the ac impedance, we measure for the first time the crossover from diffusive (ÏÏ<1) to ballistic (ÏÏ>1) transport as a function of frequency (dc to 5 GHz) in a dc contacted 2d electron gas in the low electric field limit, where Ï is the momentum scattering time. The geometry is an “ungated HEMT”, meaning current flows through an ohmic contact into a 2d electron gas, laterally through the 2d electron gas, and out into a second ohmic contact; the 2d electron gas itself is not gated. At the measurement temperature (4.2 K), the low field mobility is 3.2Â ÃÂ 106 cm2/VÂ s. We also measure for the first time the frequency dependent contact impedance in this ballistic limit.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 48, Issues 10â11, OctoberâNovember 2004, Pages 2013-2017
Journal: Solid-State Electronics - Volume 48, Issues 10â11, OctoberâNovember 2004, Pages 2013-2017
نویسندگان
Sungmu Kang, Peter J. Burke, L.N. Pfeiffer, K.W. West,