کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
77515 49283 2016 8 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of potassium fluoride post-deposition treatment on Cu(In,Ga)Se2 thin films and solar cells fabricated onto sodalime glass substrates
ترجمه فارسی عنوان
اثر تصفیه پس از رسوب فلوراید پتاسیم بر لایه های نازک Cu(In,Ga)Se2 و سلول های خورشیدی ساخته شده بر روی لایه های شیشه ای sodalime
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
خدمات تولید محتوا

این مقاله ISI می تواند منبع ارزشمندی برای تولید محتوا باشد.

  • تولید محتوا برای سایت و وبلاگ
  • تولید محتوا برای کتاب
  • تولید محتوا برای نشریات و روزنامه ها
  • و...

پایگاه «دانشیاری» آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با استفاده از این مقاله علمی، برای شما به زبان فارسی، تولید محتوا نماید.

تولید محتوا
با 10 درصد تخفیف ویژه دانشیاری
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی کاتالیزور
چکیده انگلیسی


• Voc loss (Eg/q-Voc) reduced to ~0.44 V after KF-PDT for different Eg.
• K increased in entire CIGS region, however Na seemed no change when KF-PDT is performed on SLG.
• Ga at near surface region increased after KF-PDT.
• EBIC analysis indicated the effective carrier collection of the CIGS solar cells widened toward the Mo back-contact side after KF-PDT.

In this study, we investigated the effect of potassium fluoride post-deposition treatment (KF-PDT) on Cu(In1-xGax)Se2 (CIGS) thin films and solar cells fabricated onto sodalime glass (SLG) substrates. Secondary Ion Mass Spectrometery (SIMS) analysis showed that the K increased in the entire CIGS layer after KF-PDT, however Na seemed no change because of a large amount of K and Na diffused from SLG substrates. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis revealed that the KF-PDT depleted Cu, whereas increased K and Ga at the near surface CIGS layer, before the rinsing process. Removal of native oxides from KF-treated CIGS thin film was observed based on rinsing solutions. Ammonia aqueous solution removed Ga compounds more efficiently from KF-treated CIGS thin film than that of distilled water. Time-resolved photoluminescence (TRPL) revealed that the carrier lifetime and PL intensity greatly increased after KF-PDT, resulting in the reduction of photo-generated carrier recombination. The Voc loss (Eg/q-Voc) decreased from 0.52 to around 0.44 V for KF-treated CIGS solar cells with band gap (Eg) of 1.06–1.23 eV. Electron beam-induced current (EBIC) analysis indicated that the effective carrier collection of the CIGS solar cells widened toward the Mo back-contact side after KF-PDT. This phenomenon could be attributed to the increase in carrier lifetime. C-V measurements suggested that KF-PDT not only increased hole concentration but also passivated bulk defects.

Electron beam induced current (EBIC) images overlaid with the cross-sectional SEM photographs of finished CIGS solar cells (a) without and (b) with KF-PDT. It indicates that the effective carrier collection of CIGS solar cells widened towards the Mo-back-contact side after KF-PDT.Figure optionsDownload as PowerPoint slide

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 155, October 2016, Pages 280–287
نویسندگان
,,,,,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت