کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7757797 1500055 2018 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Semiconductor-insulator transition in a YbB6 nanowire with boron vacancy
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی معدنی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Semiconductor-insulator transition in a YbB6 nanowire with boron vacancy
چکیده انگلیسی
We report the study of transport and magnetic properties of ytterbium hexaboride (YbB6) nanowires grown by a low trigger-temperature (200-240 °C) solid state method.195
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Solid State Chemistry - Volume 262, June 2018, Pages 244-250
نویسندگان
, , , , , , ,