کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
78470 | 49332 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High resolution saturation current density imaging at grain boundaries by lock-in thermography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High resolution saturation current density imaging at grain boundaries by lock-in thermography High resolution saturation current density imaging at grain boundaries by lock-in thermography](/preview/png/78470.png)
چکیده انگلیسی
The electronic properties of multicrystalline solar silicon materials are dominated by low-lifetime defect regions containing recombination-active grain boundaries and dislocations. Besides reducing the carrier collection probability, these regions increase the dark saturation current density J01, which governs the open circuit voltage. By applying lock-in thermography with spatial deconvolution it is shown that the dominant contribution to J01 comes from recombination-active grain boundaries and to a lower degree from intra-grain defects like dislocations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 104, September 2012, Pages 121–124
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 104, September 2012, Pages 121–124
نویسندگان
S. Rißland, O. Breitenstein,