Preferential void formation at crystallographically ordered grain boundaries in nanotwinned copper thin films

انتظار می رود که مواد نانوکریستالیک مقاومت به تابش بهبود یافته را به عنوان چگالی بالایی از منطقه مرز دانه در نظر گرفته شود به عنوان یک سینک موثر برای نقص ناشی از تابش. با این وجود، جذب ضایعات به طور مداوم می تواند ساختار مرزهای دانه را تغییر دهد و یا موجب تحرک آنها شود و در نهایت منجر به تخریب ریزشیمیایی در شکل دانه شدن دانه شود و بنابراین تحمل اولیه تابش آنها را نفی می کند. از این رو، یک میکروساختار ایده آل ممکن است یکی با ترکیبی از مرزهای که غوطهور موثر است و محدود کردن دانه شدن دانه. با این حال، ما این آزمایش را از طریق آزمایشات اشعه ی الکترون الکترونی نشان می دهیم، اما این شرایط کافی نیست. مشاهدات ما نشان می دهد که حتی یک چگالی بالایی از مرزهای دوقلو یکسانی انرژی کم، که ظاهرا تثبیت کننده ریزساختار در برابر دانه بند شدن دانه می شود، می تواند زیان آور باشد، زیرا که تحرک جای خالی که در طول تابش تجمع می یابند، سبب خنثی شدن خازن ترجیحی در نزدیکی مرزهای دوقلو می شود. این مشاهدات این واقعیت را برجسته می کند که مهاجرت مرزهای دانه موجب شده تا حد زیادی بر توپولوژی شبکه مرز دانه بستگی دارد و مهاجرت از مرزهای دانه زاویه ای می تواند مانع شود، زمانی که در اتصالات سه گانه متشکل از حداقل دو مرز کم انرژی، ، محدوده ی شبکۀ شبکه ی تصادفی