کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7933032 1512845 2018 19 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A double gate resonant tunneling transistor scheme based on silicene nanotube
ترجمه فارسی عنوان
ترانزیستور تونل دوگانه رزونانس بر اساس نانولوله های سیلیکن
کلمات کلیدی
فاصله الکتریکی ایجاد شده، ترانزیستور تونل رزونانس، نانولوله سیلیکن، ماتریس انتقال،
ترجمه چکیده
در این مقاله، ما پیشنهاد می کنیم یک ترانزیستور اثر میدان مغناطیسی رزونان دوگانه بر اساس دو دروازه پیچیده شده بر روی یک نانولوله سیلیکن پیشنهاد دهیم. با استفاده از میدان الکتریکی عمودی در دروازه های جانبی، شکاف انرژی در این مناطق باز می شود. با توجه به ناحیه باند گسلی مختلف در این مناطق و سایر نقاط نانولوله، یک میله کوانتومی در وسط ایجاد می شود که منجر به وضعیت انرژی محدود در منطقه چاه می شود. از این رو با استفاده از میدان الکتریکی از طریق دروازه های جانبی، می توانیم به طور همزمان ارتفاع مانع از چپ و راست را تغییر دهیم. علاوه بر این، حالت های محدود در منطقه چاه توسط ولتاژ اعمال شده به دروازه مرکزی تنظیم می شود. ضریب انتقال الکترونها با استفاده از روش ماتریس انتقال محاسبه می شود. نتایج نظری ما نشان می دهد که ساختار پیشنهادی دارای رفتار نوسان در خصوصیات انتقال است. از سوی دیگر، ویژگی خروجی یک رفتار گام به گام را نشان می دهد. ما همچنین بررسی تأثیر موانع و ضخامت های خوب و همچنین میدان الکتریکی عمود بر روی دروازه های جانبی در جریان دستگاه پیشنهاد شده است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش مقاله
ترانزیستور تونل دوگانه رزونانس بر اساس نانولوله های سیلیکن
چکیده انگلیسی
In this paper, we propose a scheme of double gate resonant tunneling field effect transistor based on two gates wrapped on a silicene nanotube. By applying a vertical electric field in the side gates, the energy gap in these regions is opened. Due to different bandgap in these regions and other parts of the nanotube, a quantum well is created in the middle which results in confined energy states in the well region. Hence by applying an electric field via lateral gates, we can change the left and right barrier height simultaneously. Moreover, confined states in the well region are tuned by the voltage applied to the central gate. The transmission coefficient of the incident electrons is calculated using the transfer matrix method. Our theoretical results illustrate that the proposed structure has an oscillatory behavior in the transfer characteristics. On the other hand, output characteristic displays a step-like behavior. We also investigate the influence of the barriers and well thicknesses as well as the perpendicular electric field exerted by lateral gates on the current of the proposed device.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 104, October 2018, Pages 268-274
نویسندگان
, ,