A double gate resonant tunneling transistor scheme based on silicene nanotube

در این مقاله، ما پیشنهاد می کنیم یک ترانزیستور اثر میدان مغناطیسی رزونان دوگانه بر اساس دو دروازه پیچیده شده بر روی یک نانولوله سیلیکن پیشنهاد دهیم. با استفاده از میدان الکتریکی عمودی در دروازه های جانبی، شکاف انرژی در این مناطق باز می شود. با توجه به ناحیه باند گسلی مختلف در این مناطق و سایر نقاط نانولوله، یک میله کوانتومی در وسط ایجاد می شود که منجر به وضعیت انرژی محدود در منطقه چاه می شود. از این رو با استفاده از میدان الکتریکی از طریق دروازه های جانبی، می توانیم به طور همزمان ارتفاع مانع از چپ و راست را تغییر دهیم. علاوه بر این، حالت های محدود در منطقه چاه توسط ولتاژ اعمال شده به دروازه مرکزی تنظیم می شود. ضریب انتقال الکترونها با استفاده از روش ماتریس انتقال محاسبه می شود. نتایج نظری ما نشان می دهد که ساختار پیشنهادی دارای رفتار نوسان در خصوصیات انتقال است. از سوی دیگر، ویژگی خروجی یک رفتار گام به گام را نشان می دهد. ما همچنین بررسی تأثیر موانع و ضخامت های خوب و همچنین میدان الکتریکی عمود بر روی دروازه های جانبی در جریان دستگاه پیشنهاد شده است.