کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7933141 | 1512846 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Intersubband optical absorption in GaAs parabolic quantum well due to scattering by ionized impurity centers, acoustical and optical phonons
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The intersubband absorption linewidth dependence on well width in GaAs quantum well is calculated. Three mechanisms of scattering have been discussed there: carriers scattering by optical (LO), acoustic (LA) phonons and ionized impurity centers (ION). The method which used for calculations is similar to a well-known method of calculating transport mobility. The estimation for absorption coefficient is proposed, based on two-dimensional dynamical conductivity expression. The LO phonon emission process is activated starting from some quantum well (QW) width so it has its impact on absorption linewidth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 103, September 2018, Pages 246-251
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 103, September 2018, Pages 246-251
نویسندگان
A.H. Gevorgyan, N.E. Mamikonyan, A.A. Kostanyan, E.M. Kazaryan,