کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7934187 1512875 2015 26 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Operational improvement of AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate with the amended depletion region
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Operational improvement of AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate with the amended depletion region
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 74, November 2015, Pages 303-309
نویسندگان
, ,