Simplified tight-binding model for conductance calculation with phonon scattering for atomic junctions

با توجه به تقاضای زیاد طراحی سریع و توسعه دستگاه های الکترونیکی نانومقیاسانه، انتقال الکترونیکی در ابعاد اتمی به یک مسئله مهم نظری و محاسباتی تبدیل می شود. در این مقاله، یک مدل مبتنی بر تنگ اتصال به طور خاص برای محاسبه ساختارهای تونلی واقعی با ابعاد منطقه پراکنده چند نانومتر ارائه شده است. مدل پیشنهادی اجازه می دهد تا درمان مناسب اثرات کوپلینگ الکترون-فونون را با یک روش قابل تنظیم انجام دهد. با کاهش قابل توجهی پیچیدگی مشکل مربوط به فونون به سطح درجه دوم، محاسبه انتقال برای سیستم های بزرگ مقیاس، از جمله هر دو ساختار مسطح و ساختار سیم سیم کشی، عملا امکان پذیر می شود.