کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7934369 1512875 2015 19 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Scattering approach to scanning gate microscopy
ترجمه فارسی عنوان
روش پراکندگی برای میکروسکوپ غربالگری
کلمات کلیدی
ترجمه چکیده
ما یک رویکرد مبهم به تغییر هدایت ایجاد شده توسط یک پتانسیل پراکندگی ضعیف تهاجمی در یک گاز الکترون دو بعدی ارائه می دهیم. عبارات حاصل شده برای بررسی رابطه بین تغییر هدایت اندازه گیری شده در میکروسکوپ دروازه اسکن به عنوان تابع موقعیت نوک پراکندگی و مقادیر الکترونیکی محلی مانند چگالی جاری مورد استفاده قرار می گیرد. ما از رویکرد نیمه کلاسیک برای درمان موردی از پراکنده سخت دیوار سخت در یک نیمه برخوردار با کانال انعکاسی استفاده می کنیم. تغییر هدایت حاصل با هدایت کوانتومی محاسبه عددی سازگار است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش مقاله
روش پراکندگی برای میکروسکوپ غربالگری
چکیده انگلیسی
We present a perturbative approach to the conductance change caused by a weakly invasive scattering potential in a two-dimensional electron gas. The resulting expressions are used to investigate the relationship between the conductance change measured in scanning gate microscopy as a function of the position of a scattering tip and local electronic quantities like the current density. We use a semiclassical approach to treat the case of a strong hard-wall scatterer in a half-plane facing a reflectionless channel. The resulting conductance change is consistent with the numerically calculated quantum conductance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 74, November 2015, Pages 637-643
نویسندگان
, ,