کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7938612 | 1513181 | 2018 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel method for synthesis of arsenic sulfide films employing conversion of arsenic monosulfide in a plasma discharge
ترجمه فارسی عنوان
یک روش جدید برای سنتز فیلم های سولفید آرسنیک با استفاده از تبدیل آرسنیک مونوسولفید در تخلیه پلاسما
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
A novel plasma-based method for synthesis of arsenic sulfide films with different structural units and stoichiometries is demonstrated. For the first time As-S films have been prepared via direct conversion of arsenic monosulfide (As4S4) as a single precursor in a low-temperature non-equilibrium RF plasma discharge at low pressure. The interplay between composition, structure and properties of the chalcogenide materials prepared has been studied. Quantum-chemical calculations have been performed to gain insight into the films structure and the mechanism of its formation in the plasma discharge. Raman spectroscopy proves that with the As-content increase in the As-S films the intensity of the line, corresponding to vibrations of homopolar As-As bonds in the realgar As4S4 units and in the S2As-AsS2 bridges increases. The last ones are responsible for the appearance of a photoluminescence phenomenon in chalcogenide glasses.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 120, August 2018, Pages 264-271
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 120, August 2018, Pages 264-271
نویسندگان
Leonid Mochalov, Alexander Logunov, Sergey Zelentsov, Mikhail Kudryashov, Aleksey Nezhdanov, Daniela Gogova, Aleksandr Mashin,