کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7938806 | 1513183 | 2018 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of the δ-potential on spin-dependent electron tunneling in double barrier semiconductor heterostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of the δ-potential on spin-dependent electron tunneling in double barrier semiconductor heterostructure Effect of the δ-potential on spin-dependent electron tunneling in double barrier semiconductor heterostructure](/preview/png/7938806.png)
چکیده انگلیسی
The effect of δ-potential was studied in GaAs/Ga0.6Al0·4As double barrier heterostructure with Dresselhaus spin-orbit interaction. The role of barrier height and position of the δ- potential in the well region was analysed on spin-dependent electron tunneling using transfer matrix method. The spin-separation between spin-resonances on energy scale depends on both height and position of the δ- potential, whereas the tunneling life time of electrons highly influenced by the position of the δ- potential and not on the height. These results might be helpful for the fabrication of spin-filters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 118, June 2018, Pages 319-323
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 118, June 2018, Pages 319-323
نویسندگان
L.Bruno Chandrasekar, K. Gnanasekar, M. Karunakaran,