کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7938969 | 1513186 | 2018 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synthesis and field emission performance for P-doped GaN NWs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Synthesis and field emission performance for P-doped GaN NWs Synthesis and field emission performance for P-doped GaN NWs](/preview/png/7938969.png)
چکیده انگلیسی
P-doped GaN NWs in different contents have been synthesized via CCVD. The P-doped GaN NWs present a uniform density and the each nanowire possesses a uniform thickness. The structure of the NWs is single crystalline structure of hexagonal wurtzite. Furthermore, the results from FE test indicate that the turn-on field of the sample with P content of 2.24â¯at. % is as low as 2.85â¯V/μm, which presents significant improvement of the FE properties in contrast to pristine GaN NWs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 115, March 2018, Pages 53-58
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 115, March 2018, Pages 53-58
نویسندگان
Enling Li, Jie Yan, Deming Ma, Zhen Cui, Qingping Qi,