کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7939195 | 1513188 | 2018 | 20 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
InGaN samples are grown using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and the dependences of structural and luminescence properties of InGaN layers on growth temperature are studied. It is found that the luminescence properties of InGaN layer are improved by increasing growth temperature properly. However, when the growth temperature of InGaN layer is too higher (740 °C in our work), a large amount of unintentionally incorporated gallium atoms enter into InGaN, and a spiral growth mode dominates in this case. It results in an inferior crystalline and interface quality, and ultimately degrades the luminescence of InGaN.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 113, January 2018, Pages 34-40
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 113, January 2018, Pages 34-40
نویسندگان
J. Yang, S.T. Liu, X.W. Wang, D.G. Zhao, D.S. Jiang, P. Chen, J.J. Zhu, Z.S. Liu, F. Liang, W. Liu, L.Q. Zhang, H. Yang, W.J. Wang, M. Li,