Formation of localized magnetic states in graphene in hollow-site adsorbed adatoms

با استفاده از مدل اتصال تنگی آداختان در گرافن، به لحاظ نظری، جنبه های موضعی تعامل بین اتم های فلز انتقالی و گرافن را مطالعه می کنیم. با توجه به تعامل الکترون-الکترون با اضافه کردن یک اصطلاح هابارد در تقریب میانگین میدان، چگالی موضعی و کل چگالی ستونهای اسپین-قطبشده را پیدا می کنیم. ما سیستم معادلات مربوط به تعداد اشغال را برای هر چرخش در ناخالص بدست می آوریم و نقاط ثابت راه حل ها را بررسی می کنیم. با مقایسه سایت بالا و جذب سایت توخالی، نشان می دهیم که گسترش بی نهایت دومی باعث می شود تا مقدار مغناطیسی برای پارامتر هابارد بدست آید. در نهایت، ما مرزهای مغناطیسی را برای بدست آوردن محدوده انرژی های فرمی که در آن شروع به مغناطیسی می شود، مدل می کنیم.