کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7939332 | 1513188 | 2018 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Energy structure and radiative lifetimes of InxGa1âxN/AlN quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report calculations of the ground state transition energies and the radiative lifetimes in InxGa1âxN/AlN quantum dots with different size and indium content. The ground state transition energy and the radiative lifetime of the InxGa1âxN/AlN quantum dots can be varied over a wide range by changing the height of the quantum dot and the indium content. The sizes and compositions for quantum dots emitting in the wavelength range for fiber-optic telecommunications have been found. The radiative lifetime of the InxGa1âxN/AlN quantum dots increases with increase in quantum dot height at a constant indium content, and increases with increase in indium content at constant quantum dot height. For quantum dots with constant ground state transition energy the radiative lifetime decreases with increase in indium content.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 113, January 2018, Pages 373-378
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 113, January 2018, Pages 373-378
نویسندگان
Ivan A. Aleksandrov, Konstantin S. Zhuravlev,