کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7939421 | 1513188 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Efficiency improvement of green light-emitting diodes by employing all-quaternary active region and electron-blocking layer
ترجمه فارسی عنوان
بهبود کارایی دیودهای سبز با استفاده از منطقه فعال همه کواترنری و لایه ی بلوک الکترون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
High efficiency of green GaAlInN-based light-emitting diode (LED) has been proposed with peak emission wavelength of â¼510Â nm. By introducing quaternary quantum well (QW) along with the quaternary barrier (QB) and quaternary electron blocking layer (EBL) in a single structure, an efficiency droop reduction of up to 29% has been achieved in comparison to the conventional GaN-based LED. The proposed structure has significantly reduced electrostatic field in the active region. As a result, carrier leakage has been minimized and spontaneous emission rate has been doubled.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 113, January 2018, Pages 585-591
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 113, January 2018, Pages 585-591
نویسندگان
Muhammad Usman, Kiran Saba, Dong-Pyo Han, Nazeer Muhammad,