کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7939515 | 1513188 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Frequency doubling of an InGaAs multiple quantum wells semiconductor disk laser
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We demonstrate a good beam quality 483Â nm blue coherent radiation from a frequency doubled InGaAs multiple quantum wells semiconductor disk laser. The gain chip is consisted of 6 repeats of strain uncompensated InGaAs/GaAs quantum wells and 25 pairs of GaAs/AlAs distributed Bragg reflector. A 4Â ÃÂ 4Â ÃÂ 7Â mm3 type I phase-matched BBO nonlinear crystal is used in a V-shaped laser cavity for the second harmonic generation, and 210Â mW blue output power is obtained when the absorbed pump power is 3.5Â W. The M2 factors of the laser beam in x and y directions are about 1.04 and 1.01, respectively. The output power of the blue laser is limited by the relatively small number of the multiple quantum wells, and higher power can be expected by increasing the number of the multiple quantum wells and improving the heat management of the laser.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 113, January 2018, Pages 785-790
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 113, January 2018, Pages 785-790
نویسندگان
Jiang Lidan, Zhu Renjiang, Jiang Maohua, Zhang Dingke, Cui Yuting, Zhang Peng, Song Yanrong,