کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7939713 1513189 2017 20 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A high-performance channel engineered charge-plasma-based MOSFET with high-κ spacer
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A high-performance channel engineered charge-plasma-based MOSFET with high-κ spacer
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 112, December 2017, Pages 499-506
نویسندگان
, , , , , ,