کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7940125 | 1513192 | 2017 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tunable electronic properties of graphene - fully hydrogenated boron nitride heterostructure: A van der Waals density functional study
ترجمه فارسی عنوان
خواص الکترونیکی قابل تنظیم گرافن - هیدروژنه بورید نیترید به طور کامل هیدروژنه شده: مطالعه خواص فشرده ون واروالس
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
The structural and electronic properties of Gr/BN and Gr/H-BN-H heterostructures have been systematically investigated on density functional theory with van der Waals corrections. The results indicate that the band gap of Gr/H-BN-H is about 0.024Â eV (without an electric field) and 0.412Â eV (with a strong electric field). Moreover, the increase of band gap of Gr/BN and Gr/H-BN-H heterostructures does not lead an obvious drop in their carrier mobility. Meanwhile, Gr/H-BN-H heterostructure has a larger tunable range of band gap and carrier mobility than Gr/BN heterostructure. These electronic properties highlight graphene/BN potential applications in nanodevices with low energy consumption.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 109, September 2017, Pages 23-30
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 109, September 2017, Pages 23-30
نویسندگان
W.X. Zhang, M.M. Dong, T.T. Li, J.L. Gong, C. He,