کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7940133 | 1513192 | 2017 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor models with wide temperature range including cryogenic temperature
ترجمه فارسی عنوان
مدل های ترانزیستور اثر نیمه هادی فلزات اکسید بهبود یافته با دامنه وسیع دما از جمله دمای گرما
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
مدل، محدوده وسیع دما، دمای کریوژنیک، اثر فریبنده،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
The analytical Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) models with wide temperature range including cryogenic temperature have been presented in this paper. Based on the Berkeley Short-channel IGFET Model (BSIM) core, the mobility model, the threshold voltage model, the velocity saturation model and the parasitic resistance model have been updated and added to precisely describe the characteristics of MOSFETs at wide temperature range. The presented models have been verified by different MOSFETs and a capacitor charge-discharge circuit at regular and cryogenic temperatures. The measurement and simulation results have demonstrated the considerable accuracy and general applicability of the proposed models.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 109, September 2017, Pages 31-40
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 109, September 2017, Pages 31-40
نویسندگان
Siyang Liu, Xiujun Li, Chao Liu, Weifeng Sun,