کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7940307 1513193 2017 25 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Excitonic devices
ترجمه فارسی عنوان
دستگاه های اکسیژن
ترجمه چکیده
اکسایتون های غیر مستقیم را می توان با ولتاژ کنترل کرد، می تواند در طی فاصله های بزرگ قبل از نوترکیب سفر کند و می تواند نزدیک به دمای نیمه رسانا کریستال سرد و پایین تر از درجه انحطاط کوانتوم سرد شود. این خواص پایه ای برای توسعه دستگاه های اکسایتونیک با اکسایتون های غیر مستقیم می باشد. در این مقاله، ما مطالعات خود را درباره دستگاه های ایزوتونیک مرور می کنیم. ما تله ها، لتها، نقاله ها و رمپ ها را برای مطالعه خواص اساسی اکسیتون های غیر مستقیم سرد - بوزون های سرد در مواد نیمه هادی ارائه می کنیم. ما همچنین تظاهرات اثبات اصل برای دستگاه های پردازش سیگنال اکسیژن را ارائه می دهیم.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش مقاله
دستگاه های اکسیژن
چکیده انگلیسی
Indirect excitons can be controlled by voltage, can travel over large distances before recombination, and can cool down close to the temperature of semiconductor crystal lattice and below the temperature of quantum degeneracy. These properties form the basis for the development of excitonic devices with indirect excitons. In this contribution, we overview our studies of excitonic devices. We present traps, lattices, conveyers, and ramps for studying basic properties of cold indirect excitons - cold bosons in semiconductor materials. We also present proof-of-principle demonstration for excitonic signal processing devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 108, August 2017, Pages 2-26
نویسندگان
,