کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
7940575 1513195 2017 16 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bismuth flux dependence of GaAsBi/GaAs MQWs grown by molecular beam epitaxy using two-substrate-temperature technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
خدمات تولید محتوا

این مقاله ISI می تواند منبع ارزشمندی برای تولید محتوا باشد.

  • تولید محتوا برای سایت و وبلاگ
  • تولید محتوا برای کتاب
  • تولید محتوا برای نشریات و روزنامه ها
  • و...

پایگاه «دانشیاری» آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با استفاده از این مقاله علمی، برای شما به زبان فارسی، تولید محتوا نماید.

تولید محتوا
با 10 درصد تخفیف ویژه دانشیاری
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Bismuth flux dependence of GaAsBi/GaAs MQWs grown by molecular beam epitaxy using two-substrate-temperature technique
چکیده انگلیسی
Multi-quantum wells (MQWs) of GaAsBi/GaAs were grown by molecular beam epitaxy (MBE) and dependence of its surface morphology, Bi content and optical properties on Bi beam equivalent pressure (BEP) were studied. For the MQWs growth, two-substrate-temperatures (TST) technique was used, where GaAsBi layers were grown at TGaAsBi=350 °C and GaAs layers at TGaAs=550 °C. The segregated bismuth atoms were desorbed by increasing the substrate temperature from TGaAsBi to TGaAs after finishing the growth of each GaAsBi layer of MQWs including the topmost GaAsBi layer. The surface of the topmost GaAsBi layer shows no sign of Bi droplet formation even for the MQWs grown at highest Bi supply. The Bi content increases up to 3.8% in proportional to the Bi BEP and decreases in a higher Bi BEP region.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 106, June 2017, Pages 50-57
نویسندگان
, , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت