کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7940848 | 1513197 | 2017 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Excitonic localization at macrostep edges in AlGaN/AlGaN multiple quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Excitonic localization at macrostep edges in AlGaN/AlGaN multiple quantum wells Excitonic localization at macrostep edges in AlGaN/AlGaN multiple quantum wells](/preview/png/7940848.png)
چکیده انگلیسی
Double peaks at wavelength of 276 and 290Â nm are observed for AlGaN/AlGaN multiple quantum wells (MQWs). Cathodoluminescence (CL) mappings identify that the emission at 290Â nm originates from the macrostep edges. Potential minima induced by local variation of QW thickness and Ga incorporation are found along the step edges, where quantum wires (QWRs) are formed. The lateral advance rate of macrostep (â¼310Â nm/h) is obtained by investigating the distribution of QWRs. Temperature-dependent CL spectrum suggest that thermal quenching for 290Â nm emission is dramatically suppressed compared with that for conventional QWs emission, which shows excitonic localization characteristics of QWRs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 104, April 2017, Pages 397-401
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 104, April 2017, Pages 397-401
نویسندگان
Mengjun Hou, Zhixin Qin, Lisheng Zhang, Tianyang Han, Mingxing Wang, Fujun Xu, Xinqiang Wang, Tongjun Yu, Zheyu Fang, Bo Shen,