کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7940927 1513198 2017 32 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
4H-SiC trench IGBT with lower on-state voltage drop
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
4H-SiC trench IGBT with lower on-state voltage drop
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 103, March 2017, Pages 56-63
نویسندگان
, , , ,