کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7941580 1513201 2016 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of gate engineering in enhancement mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Impact of gate engineering in enhancement mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 100, December 2016, Pages 306-314
نویسندگان
, , , ,