کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7941858 | 1513202 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of rapid degradation in GaN-based blue laser diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Investigation of the degradation modes in GaN-based blue laser diodes grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) is carried out. Early failure of the LDs happened at the initial stage of the aging. After analysis of the electrical and thermal characteristics, local degradation of the active region is observed. Further investigation on the microstructures of the local regions shows that the early failure of the LDs is due to the local structure damage with the formation of gallium metal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 99, November 2016, Pages 72-76
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 99, November 2016, Pages 72-76
نویسندگان
Pengyan Wen, Shuming Zhang, Deyao Li, Jianping Liu, Liqun Zhang, Dong Shi, Kun Zhou, Aiqin Tian, Shiwei Feng, Hui Yang,