کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7942645 | 1513225 | 2014 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of hole-injection in α-NPD using capacitance and impedance spectroscopy techniques with F4TCNQ as hole-injection layer: Initial studies
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The charge accumulation leading to injection at the organic interface in the sequentially doped hole-only device structure is studied using capacitance and impedance based spectroscopic techniques. In this paper, we investigate the role of p-type dopant 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ) in the charge transport properties of N,Nâ²-Di(1-naphthyl)-N,Nâ²-diphenyl-(1,1â²-biphenyl)-4,4â²-diamine (α-NPD) through sequential deposition. We show that the hole injection into α-NPD increases with the increase of interlayer (F4TCNQ) thickness by correlating the current density-voltage, capacitance-voltage, capacitance-frequency and impedance measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 76, December 2014, Pages 385-393
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 76, December 2014, Pages 385-393
نویسندگان
Jean Maria Fernandes, M. Raveendra Kiran, Hidayath Ulla, M.N. Satyanarayan, G. Umesh,