کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7942677 | 1513236 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of annealing temperature on properties of nitrogen-doped zinc oxide films deposited by magnetron sputtering
ترجمه فارسی عنوان
تأثیر دما بر گرم شدن خواص نانوکامپوزیتی پوسته شده توسط اسپکترومغناطیسی مگنترون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
فیلم اکسید روی، دوپینگ نیتروژن، دمای آنیلینگ، اسپری مگنترون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
Nitrogen-doped p-type zinc oxide films have been realized by radio frequency (rf) magnetron sputtering and post-annealing techniques. The effect of annealing temperature on the structural, electrical and optical properties of nitrogen-doped zinc oxide films was investigated by X-ray diffraction, Hall-effect, photoluminescence measurements. The nitrogen-doped p-type zinc oxide film with good structural, electrical and optical properties can be obtained at an intermediate annealing temperature region (e.g., 650 °C). The nitrogen-doped p-type zinc oxide had the lowest resistivity of 2.9 Ω cm, Hall mobility of 18 cm2/Vs and carrier concentration of 1.3 Ã 1017 cmâ3. The p-type conduction behavior of the nitrogen-doped zinc oxide film was confirmed by the rectifying I-V characteristies of a ZnO homojunction. The chemical bonding states of nitrogen doped in ZnO film were examined by XPS analysis. Mechanism of the p-type conductivity was discussed in the present work.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 65, January 2014, Pages 7-13
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 65, January 2014, Pages 7-13
نویسندگان
ZhanWu Wang, Yonggao Yue, Yan Cao,