کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7942814 | 1513236 | 2014 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Charge transport properties of Tl2GaInSe4 prepared by Bridgman technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Charge transport properties of Tl2GaInSe4 prepared by Bridgman technique Charge transport properties of Tl2GaInSe4 prepared by Bridgman technique](/preview/png/7942814.png)
چکیده انگلیسی
The obtained electrical results indicate that the prepared Tl2GaInSe4 sample is a p-type semiconductor and it can be used for electronic device applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 65, January 2014, Pages 177-183
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 65, January 2014, Pages 177-183
نویسندگان
R.H. Al Orainy,