کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7943308 1513241 2013 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of lightly doped drain and source graphene nanoribbon field effect transistors
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Modeling of lightly doped drain and source graphene nanoribbon field effect transistors
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 60, August 2013, Pages 67-72
نویسندگان
, , , ,