کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
79850 | 49367 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microscale localization of low light emitting spots in reversed-biased silicon solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present the results of an investigation of the sub-micron irregularities in a monocrystalline silicon solar cell structure utilizing scanning near-field microscopy. The experiments rely on the fact that silicon solar cells under reverse bias exhibit micron-scale low light emitting centers. A novel method allowing simultaneous localization and measurement of this light on the micron-scale is presented. The method allows the characterization of these irregularities with high spatial resolution.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 94, Issue 12, December 2010, Pages 2358–2361
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 94, Issue 12, December 2010, Pages 2358–2361
نویسندگان
Pavel Škarvada, Tománek, Lubomír Grmela, Steve J. Smith,