کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
80260 | 49380 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Variogram analysis of charge-carrier effective lifetime topograms in mc-Si materials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
All relevant physical properties of semiconductors show spatial fluctuations. It is possible to analyze this spatial variation statistically using variogam analysis. The present paper gives a first example for the application of this method, for the case of charge-carrier effective lifetime, which was measured with the microwave-detected photoconductivity (MDP) system.It can be shown that different types of spatial distribution of defects in wafers are well-characterized by different variograms. Furthermore, there exist different spatial correlation ranges and variances of charge-carrier effective lifetime in wafers from different height positions in a brick.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 94, Issue 2, February 2010, Pages 164–170
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 94, Issue 2, February 2010, Pages 164–170
نویسندگان
Kathrin Niemietz, Anett Wagner, B. Gründig-Wendrock, Dietrich Stoyan, Jürgen R. Niklas,