کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
80456 | 49387 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
BB-coefficient in n-type GaAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: BB-coefficient in n-type GaAs BB-coefficient in n-type GaAs](/preview/png/80456.png)
چکیده انگلیسی
Recombination and absorption measurements performed on double heterostructure films grown by metalorganic chemical vapor deposition are used to deduce BB, the coefficient of radiative recombination for n-type GaAs with electron concentrations (n0n0) from 1.3×10171.3×1017 to 3.8×1018cm-3. The radiative and non-radiative components of recombination were separated and the effects of photon recycling were taken into account. It is found that B=3.5×10-10cm3/s for low n0n0, and that BB decreases significantly with increasing n0n0 to as low as B=1.8×10-10cm3/s for n0=3.8×1018cm-3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 93, Issue 8, August 2009, Pages 1225–1229
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 93, Issue 8, August 2009, Pages 1225–1229
نویسندگان
G.B. Lush,