کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
80534 | 49390 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
n-GaAlAs on p-GaAs heterostructure solar cells grown by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
p-GaAs substrate was used as the starting material in molecular beam epitaxial growth. n-type GaAlAs for heterostructure and n-GaAs capping layer were then grown after a buffer layer deposition on the substrate. The n-GaAlAs on p-GaAs heterostructure solar cells, with active area of 13.25 mm2 under 100 mW/cm2 AM1 illumination light source, provide a typical output as follows: Voc=0.73 V, Isc=6 mA, FF=0.7 and η=23% (active area). Spectral response measurements from 500 to 850 nm reflects the window effect of GaAlAs and band edge of GaAs materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 90, Issues 18–19, 23 November 2006, Pages 2989–2994
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 90, Issues 18–19, 23 November 2006, Pages 2989–2994
نویسندگان
Supachok Thainoi, Suwaree Suraprapapich, Montri Sawadsaringkarn, Somsak Panyakeow,