کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
80961 | 49412 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
S and Te inter-diffusion in CdTe/CdS hetero junction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Effects of post formation thermal annealing of the CdTe–CdS device on the inter-diffusion of S and Te at the junction in a substrate configuration device have been studied by Auger electron spectroscopy. While the migration of S and Te atoms increases with annealing temperature, the extent of S diffusion is always higher than the diffusion of Te atoms. Inter-diffusion of S and Te causes the formation of CdTe1-xSxCdTe1-xSx ternary compound at the CdTe–CdS interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 91, Issues 15–16, 22 September 2007, Pages 1392–1397
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 91, Issues 15–16, 22 September 2007, Pages 1392–1397
نویسندگان
J. Pantoja Enríquez, E. Gómez Barojas, R. Silva González, U. Pal,