کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8148564 | 1524338 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lifetime behavior of laser diodes with highly strained InGaAs QWs and emission wavelength between 1120â¯nm and 1180â¯nm
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Lifetime behavior of laser diodes with highly strained InGaAs QWs and emission wavelength between 1120â¯nm and 1180â¯nm Lifetime behavior of laser diodes with highly strained InGaAs QWs and emission wavelength between 1120â¯nm and 1180â¯nm](/preview/png/8148564.png)
چکیده انگلیسی
Laser diodes with three different emission wavelength were mounted in a microoptical bench with a second harmonic generation crystal. From these benches laser emission in the green-yellow spectral range with more than 800â¯mW output power was obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 491, 1 June 2018, Pages 31-35
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 491, 1 June 2018, Pages 31-35
نویسندگان
F. Bugge, R. Bege, G. Blume, D. Feise, B. Sumpf, N. Werner, U. Zeimer, K. Paschke, M. Weyers,