کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8148564 1524338 2018 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lifetime behavior of laser diodes with highly strained InGaAs QWs and emission wavelength between 1120 nm and 1180 nm
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Lifetime behavior of laser diodes with highly strained InGaAs QWs and emission wavelength between 1120 nm and 1180 nm
چکیده انگلیسی
Laser diodes with three different emission wavelength were mounted in a microoptical bench with a second harmonic generation crystal. From these benches laser emission in the green-yellow spectral range with more than 800 mW output power was obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 491, 1 June 2018, Pages 31-35
نویسندگان
, , , , , , , , ,