کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8148884 | 1524346 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Spatial distribution of structural defects in Cz-seeded directionally solidified silicon ingots: An etch pit study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Spatial distribution of structural defects in Cz-seeded directionally solidified silicon ingots: An etch pit study Spatial distribution of structural defects in Cz-seeded directionally solidified silicon ingots: An etch pit study](/preview/png/8148884.png)
چکیده انگلیسی
The PV properties of wafers processed from Cz-seeded directionally solidified silicon ingots suffer from variable structural defects. In this study, we draw an overview on the types of structural defects encountered in the specific case of full ã1â¯0â¯0ã oriented growth. We found micro twins, background dislocations, and subgrains boundaries. We discuss the possible links between thermomechanical stresses and growth processes with spatial evolution of both background dislocation densities and subgrain boundaries length.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 483, 1 February 2018, Pages 183-189
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 483, 1 February 2018, Pages 183-189
نویسندگان
A. Lantreibecq, M. Legros, N. Plassat, J.P. Monchoux, E. Pihan,