کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8150093 | 1524404 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
InGaN pn-junctions grown by PA-MBE: Material characterization and fabrication of nanocolumn electroluminescent devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, therefore we analyze the quantitative limits for Mg and Ge incorporation on GaN and InGaN with high In content. We also discuss the challenges posed by the growth and characterization of InGaN pn-junctions and we discuss the properties of large area, long wavelength nanocolumn LEDs grown on silicon (1Â 1Â 1) by PA-MBE.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 393-397
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 393-397
نویسندگان
I. Gherasoiu, K.M. Yu, L. Reichertz, W. Walukiewicz,