کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8150170 | 1524413 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Coincident site lattice bi-crystals growth-Impurity segregation towards grain boundaries
ترجمه فارسی عنوان
رشد بی کریستال های شبکه ی شبکهای- جداسازی ناخالصی در برابر مرزهای دانه
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
Bi-crystal silicon ingots with coincident site lattice (CSL) grain boundaries (GB), namely Σ3, Σ9, Σ27a, have been grown in a small scale Bridgman type furnace at 3 µm/s. Melts have been intentionally polluted with 25 ppma of copper and indium. Segregation of these impurities towards the central grain boundaries has been assessed by secondary ion mass spectrometry (SIMS). Influence of topological imperfections and grain boundary nature has been investigated. While copper segregation towards Σ3 GB has not been detected, copper has been found to diffuse towards Σ9 and Σ27a GB, especially at steps and GB junctions. Indium segregation has not been detected at any GB. This indicates that slow-diffusing element segregation towards GB depends on the boundary nature, and/or the grains orientation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 416, 15 April 2015, Pages 8-11
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 416, 15 April 2015, Pages 8-11
نویسندگان
Antoine Autruffe, Lasse Vines, Lars Arnberg, Marisa Di Sabatino,