کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8150303 | 1524413 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of germanium doping on the performance of high-performance multi-crystalline silicon
ترجمه فارسی عنوان
تاثیر دوپینگ ژرمانیوم بر عملکرد سیلیکون چندبلژیک با کارایی بالا
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
The effect of germanium (Ge) doping on the performance of high-performance multi-crystalline silicon (mc-Si) has been investigated in this work. The Ge doping in the mc-Si ingot could reduce the concentration of FeB complexes and dislocation density, resulting in the improvement of minority carrier lifetime. Due to this reduction in dislocation density, the mechanical strength of the mc-Si wafers was enhanced by Ge doping. The preliminary experimental results showed that the average conversion efficiency of Ge-doped mc-Si solar cells was higher than that of normal undoped mc-Si solar cells under the same solar cell fabrication processes. Consequently, we propose that Ge doping is beneficial for the fabrication of higher performance of mc-Si solar cells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 416, 15 April 2015, Pages 57-61
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 416, 15 April 2015, Pages 57-61
نویسندگان
Jie Su, Genxiang Zhong, Zhaoyu Zhang, Xucheng Zhou, Xinming Huang,