کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8150792 | 1524425 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect selective etching of GaAsyP1ây photovoltaic materials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Rapid and accurate threading dislocation density (TDD) characterization of direct-gap GaAsyP1ây photovoltaic materials using molten KOH defect selective etching (DSE) is demonstrated. TDDs measured using molten KOH DSE show close agreement with those from both electron beam-induced current mapping and planar view transmission electron microscopy, provided TDD<107 cmâ2. H3PO4 DSE is also demonstrated as an accurate method for characterizing TDD of GaP substrates. Taken together, the DSE methods described here enable TDD characterization over large areas (>105 µm2) from substrate to GaAsyP1ây device layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 404, 15 October 2014, Pages 140-145
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 404, 15 October 2014, Pages 140-145
نویسندگان
Kevin Nay Yaung, Stephanie Tomasulo, Jordan R. Lang, Joseph Faucher, Minjoo Larry Lee,